【肖特基和快恢复二极管区别】 肖特基二极管利用金属-半导体结，导通压降低（0.3-0.5V），反向恢复时间极短，但反向耐压较低（一般＜200V），适用于高频低压整流。快恢复二极管采用PN结结构，导通压降较高（0.8-1.2V），反向恢复时间短（可至纳秒级），耐压较高（可达数千伏），多用于开关电源、逆变器等中高频高压场合。两者核心差异在于结构、性能参数及应用场景。
【肖特基和快恢复二极管区别】 肖特基二极管利用金属-半导体结，导通压降低（0.3-0.5V），反向恢复时间极短，但反向耐压较低（一般＜200V），适用于高频低压整流。快恢复二极管采用PN结结构，导通压降较高（0.8-1.2V），反向恢复时间短（可至纳秒级），耐压较高（可达数千伏），多用于开关电源、逆变器等中高频高压场合。两者核心差异在于结构、性能参数及应用场景。
