PTD2050MOS管是一款N沟道增强型功率场效应晶体管,其参数详细介绍包括:漏源电压(VDS)为500V,连续漏极电流(ID)为20A,导通电阻(RDS(on))典型值为0.205Ω,栅源阈值电压(VGS(th))范围为2-4V,采用TO-220封装,适用于开关电源、电机驱动等高效能功率转换场景。产品具备低导通损耗和高可靠性,是工业与消费电子领域的常用元件。

PTD2050MOS管是一款N沟道增强型功率场效应晶体管,其参数详细介绍包括:漏源电压(VDS)为500V,连续漏极电流(ID)为20A,导通电阻(RDS(on))典型值为0.205Ω,栅源阈值电压(VGS(th))范围为2-4V,采用TO-220封装,适用于开关电源、电机驱动等高效能功率转换场景。产品具备低导通损耗和高可靠性,是工业与消费电子领域的常用元件。